МОДУЛЬ ДРАМ
Основанная в 2008 году, наша группа компаний работает в области флэш-памяти OEM почти 15 лет, OEM-модуль DRAM, OEM SSD, OEM USB FLASH DRIVE, OEM TF CARD, как профессиональный OEM-поставщик флэш-памяти. Мы сосредоточены на предоставлении услуг крупным клиентам бренда. , основные трейдеры и дистрибьюторы страны. Чтобы лучше поддерживать трейдеров и дистрибьюторов в странах, у нас есть регулярные готовые товары как в Гонконге, так и в Шэньчжэне, мы продаем более 1 миллиона штук каждый месяц.
В основном мы поддерживаем DDR3, DDR4 для клиентов, которые также занимаются бизнесом с твердотельными накопителями, для клиентов брендов или компьютерных заводов, у нас также есть LPDDR, которые теперь поддерживают только основных клиентов внутренних мобильных телефонов и IPAD в Китае, а также некоторых клиентов смарт-часов. Благодаря высокой производительности и низкому энергопотреблению он подходит для интеллектуальных устройств небольшого размера.
Драм / LPDDR Технические параметры:
КАТЕГОРИЯ ПРОДУКТА | ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ / | ПЛОТНОСТЬ | УПАКОВКА | ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЙ |
ДРАМ | DRAM D3 | 2Гб/4Гб | Шарик FBGA 96 | 25 градусов ~ 85 градусов |
DRAM D4 | 4Гб/8Гб | Шарик FBGA 96 | ||
Модуль динамической памяти | U-DIMM | 4 ГБ / 8 ГБ / 16 ГБ / 32 ГБ | / | 0 градус - 85 градус |
SO-DIMM | ||||
R-DIMM | 8 ГБ/16 ГБ/32 ГБ | / | 0 градус - 85 градус | |
ЛПДДР | LP DDR4 | 2 ГБ / 3 ГБ / 4 ГБ / 6 ГБ / 8 ГБ | 200Мяч | 0 градус - 70 градус |
Характеристики:
Номер модели продукта | Технические характеристики | Плотность | Измерение | Упаковка |
DRAM U-DIMM | 8 ГБ Х8/Х16 | 8 ГБ | 7,5 х 13,3 мм | 78 мячей/96 мячей |
DRAM U-DIMM | 16 ГБ Х8/Х16 | 16 ГБ | 10,3 х 11 мм | 78 мячей/96 мячей |
DRAM U-DIMM | 32 ГБ Х8/Х16 | 32 ГБ | 10,3 х 11 мм | 78 мячей/96 мячей |
Доступный модуль:
Номер детали 1) | Плотность | Организация | Компонентный состав | Количество | Высота |
4 ГБ UDIMM | 4ГБ | 512Mx64 | 512Мх16*4 | 1 | 31,25 мм |
UDIMM 8 ГБ | 8 ГБ | 1Gx64 | 1Gx8 * 8 | 1 | 31,25 мм |
16 ГБ UDIMM | 16 ГБ | 2Gx64 | 1Gx8 * 16 | 2 | 31,25 мм |
4 ГБ SODIMM | 4ГБ | 512Mx64 | 512Мх16*4 | 1 | 30 мм |
8 ГБ SODIMM | 8 ГБ | 1Gx64 | 1Gx8 * 8 | 1 | 30 мм |
16 ГБ SODIMM | 16 ГБ | 2Gx64 | 1Gx8 * 16 | 2 | 30 мм |
ПРИМЕЧАНИЕ:
1) (2133 Мбит/с 15-15-15) / (2400 Мбит/с 17-17-17) / (2666 Мбит/с 19-19-19) / (3200 Мбит/с 22-22-22) / (3200 Мбит/с 16-18-18) - DDR{ {12}}(3200 Мбит/с 16-18-18) обратно совместим с более низкой частотой.
КЛЮЧЕВАЯ ОСОБЕННОСТЬ
Скорость | ГДР4-2133 | ГДР4-2400 | ГДР4-2666 | ГДР4-3200 | ГДР4-3200 | ГДР4-3200 | Ед. изм |
15-15-15 | 17-17-17 | 19-19-19 | 22-22-22 | 19-19-19 | 16-18-18 | ||
tCK(мин) | 0.938 | 0.833 | 0.75 | 0.625 | 0.625 | 0.625 | нс |
Задержка CAS | 15 | 17 | 19 | 22 | 19 | 16 | нСК |
tRCD(мин) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | нс |
ТРП (мин) | 14.06 | 14.16 | 14.25 | 13.75 | 11.875 | 11.25 | нс |
tRAS (мин) | 33 | 32 | 32 | 32.5 | 30.0 | 22.5 | нс |
tRC (мин) | 47.06 | 46.16 | 46.25 | 46.25 | 41.875 | 33.75 | нс |
● Стандартный источник питания JEDEC 1,2 В ± 0,06 В
●VДДК= 1.2V ± 0.06 V
● 1067 МГц fСКдля 2133 Мбит/с/пин, 1200 МГц fСКдля 2400 Мбит/с/контакт 1333 МГц fCK для 2666 Мбит/с/контакт, 1600 МГц fCK для 3200 Мбит/с/контакт
●16 банков (4 группы банков)
● Программируемая задержка CAS: 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19, 20, 21, 22
● Программируемая дополнительная задержка (опубликовано CAS): часы 0, CL - 2 или CL - 1.
● Программируемая задержка записи CAS (CWL)=11, 14 (DDR4-2133), 12, 16 (DDR4-2400) и 14, 18 (DDR4- 2666) • Длина пакета : 8, 4 с tCCD=4, что не позволяет выполнять плавное чтение или запись [на лету с использованием A12 или MRS]
● Двунаправленный дифференциальный строб данных
● На выводе кристалла с использованием штыря ODT
●Средний период обновления 7,8 мкс при температуре ниже TCASE 85°C, 3,9 мкс при 85°C < TCASE 95°C
● Асинхронный сброс
СХЕМА ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ БЛОКОВ для:
4 ГБ, 512 М x 64 модуля (заполняется как 1 ранг x16DDR4 SDRAM)
ПРИМЕЧАНИЕ :
1) Если не указано иное, сопротивление резистора составляет 150 Ом 5 процентов.
2) Резисторы ZQ 2400 Ом 1 процент. Для всех других номиналов резисторов см. соответствующую электрическую схему.
8GB, 1Gx64Module (заполняется как 1 ранг x 8DDR4 SDRAM)
горячая этикетка : Драм-модуль, оптом, цена, оптом, OEM, 1 ГБ Пендрив, Компактная адаптер карты памяти флэш -памяти, Ддр, Микро карта на USB -адаптер, USB -контроллер Flash
Отправить запрос
