НОВЫЙ твердотельный накопитель M.2 PCIE NVME 256 ГБ 512 ГБ 1T 2T HG2283 плюс HYNIX V7

                                               M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 плюс Hynix V7

1. ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОДУКТА

Емкость

− 128 ГБ, 256 ГБ, 512 ГБ, 1024 ГБ, 2048 ГБ

− Поддержка режима 32-битной адресации

Электрический/физический интерфейс

− Интерфейс PCIe

− Совместимость с NVMe 1.3

− Базовая версия PCIe Express версии 3.1

− PCIe Gen 3 x 4 lane и обратная совместимость с PCIe Gen 2 и Gen 1

− Поддержка до QD 128 с глубиной очереди до 64 КБ

− Поддержка управления питанием

Поддерживаемая флэш-память NAND

− Поддержка до 16 Flash Chip Enables (CE) в рамках одного проекта.

− Поддержка до 4 флэш-памяти BGA132.

− Поддержка 8-битного ввода-вывода NAND Flash

− Поддержка интерфейса Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 и ONFI 4.0

Samsung V6 3D NAND

Hynix V7 3D NAND

Схема ЕСС

− HG2283 PCIe SSD применяет алгоритм LDPC или ECC.

Поддержка размера сектора

   − 512B

− 4 КБ

UART/GPIO

Поддержка команд SMART и TRIM

Диапазон LBA

− стандарт IDEMA

Производительность                 

Производительность HG2283 плюс Hynix V7 (1200 Мбит/с)

ПРИМЕЧАНИЯ:

1. Производительность основана на флэш-памяти Hynix V7 TLC NAND.

ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЕ

ПРИМЕЧАНИЯ:

1. Данные измерены на базе монокристалла Hynix V7 512Gb TLC Flash.

2. Энергопотребление измеряется во время последовательных операций чтения и записи, выполняемых IOMeter.

Управление флэш-памятью

1.4.1. Код исправления ошибок (ECC)

Ячейки флэш-памяти со временем изнашиваются, что может привести к случайным ошибкам в хранимых данных. Таким образом, твердотельный накопитель HG2283 PCIe использует алгоритм LDPC (проверка четности с низкой плотностью) алгоритма ECC, который может обнаруживать и исправлять ошибки, возникающие в процессе чтения, обеспечивать правильное чтение данных, а также защищать данные от повреждения.

1.4.2. Выравнивание износа

Флэш-устройства NAND могут подвергаться только ограниченному количеству циклов программирования/стирания, когда флэш-носитель используется неравномерно, некоторые блоки обновляются чаще, чем другие, и срок службы устройства значительно сокращается. Таким образом, выравнивание износа применяется для продления срока службы флэш-памяти NAND за счет равномерного распределения циклов записи и стирания на носителе.

HosinGlobal предоставляет усовершенствованный алгоритм выравнивания износа, который может эффективно распределять использование флэш-памяти по всей площади флэш-носителя. Кроме того, за счет реализации как динамического, так и статического алгоритмов выравнивания износа ожидаемый срок службы флэш-памяти NAND значительно увеличивается.

1.4.3. Управление плохими блоками

Плохие блоки — это блоки, которые не работают должным образом или содержат больше недопустимых битов, что приводит к нестабильности хранимых данных, и их надежность не гарантируется. Блоки, которые идентифицированы и помечены производителем как неисправные, называются «ранними неисправными блоками». Плохие блоки, которые появляются в течение срока службы флэш-памяти, называются «Поздними плохими блоками». HosinGlobal реализует эффективный алгоритм управления сбойными блоками для обнаружения сбойных блоков заводского производства и управления сбойными блоками, которые появляются при использовании. Эта практика предотвращает сохранение данных в плохих блоках и еще больше повышает надежность данных.

1.4.4. ПОДРЕЗАТЬ

TRIM — это функция, которая помогает улучшить производительность чтения/записи и скорость твердотельных накопителей (SSD). В отличие от жестких дисков (HDD), твердотельные накопители не могут перезаписывать существующие данные, поэтому доступное пространство постепенно уменьшается с каждым использованием. С помощью команды TRIM операционная система может сообщить SSD, чтобы блоки данных, которые больше не используются, могли быть удалены навсегда. Таким образом, SSD выполнит действие стирания, которое не позволит неиспользуемым данным постоянно занимать блоки.

1.4.5. УМНЫЙ

SMART, аббревиатура от Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, представляет собой открытый стандарт, который позволяет твердотельному накопителю автоматически определять свое состояние и сообщать о потенциальных сбоях. Когда SMART регистрирует сбой, пользователи могут заменить диск, чтобы предотвратить непредвиденный сбой или потерю данных. Кроме того, SMART может информировать пользователей о предстоящих сбоях, пока еще есть время для выполнения упреждающих действий, таких как сохранение данных на другом устройстве.

1.4.6. Избыточное обеспечение

Over Provisioning относится к сохранению дополнительной области за пределами пользовательской емкости на SSD, которая не видна пользователям и не может быть ими использована. Однако он позволяет контроллеру SSD использовать дополнительное пространство для повышения производительности и WAF. Благодаря Over Provisioning производительность и количество операций ввода-вывода (ввод/вывод в секунду) улучшаются за счет предоставления контроллеру дополнительного пространства для управления циклами P/E, что также повышает надежность и долговечность. Кроме того, усиление записи SSD становится ниже, когда

контроллер записывает данные во флеш.

1.4.7. Обновление прошивки

Прошивку можно рассматривать как набор инструкций о том, как устройство взаимодействует с хостом. Прошивка будет обновляться при добавлении новых функций, устранении проблем совместимости или повышении производительности чтения/записи.

1.4.8. Термическое дросселирование

Цель термического дросселирования — предотвратить перегрев каких-либо компонентов твердотельного накопителя во время операций чтения и записи. HG2283 разработан с встроенным термодатчиком и отличается высокой точностью; прошивка может применять различные уровни регулирования для эффективного и упреждающего достижения цели защиты посредством считывания SMART.

1.5. Расширенные функции безопасности устройства

1.5.1. Безопасное стирание

Безопасное стирание — это стандартная команда формата NVMe, которая записывает все «0x00», чтобы полностью стереть все данные на жестких дисках и твердотельных накопителях. При выполнении этой команды контроллер SSD сотрет свои блоки хранения и вернется к заводским настройкам по умолчанию.

1.5.2. Крипто стереть

Crypto Erase — это функция, которая стирает все данные с активированного OPAL SSD или диска «SED» (диск с поддержкой безопасности) путем сброса криптографического ключа диска. Поскольку ключ изменен, ранее зашифрованные данные станут бесполезными, что позволит обеспечить безопасность данных.

1.5.3. SID физического присутствия (PSID)

SID физического присутствия (PSID) определяется TCG OPAL как 32-символьная строка, и цель состоит в том, чтобы вернуть SSD к его заводским настройкам, когда диск все еще активирован OPAL. Код PSID может быть напечатан на этикетке твердотельного накопителя, если твердотельный накопитель, активированный OPAL, поддерживает функцию возврата PSID.

1.6. Управление сроком службы твердотельных накопителей

1.6.1. Написано в терабайтах (TBW)

TBW (терабайты записанных данных) — это показатель ожидаемого срока службы твердотельных накопителей, который представляет собой объем данных.

записывается на устройство. Для расчета TBW твердотельного накопителя применяется следующее уравнение:

TBW = [(Выносливость NAND) x (Емкость твердотельного накопителя)] / [ВАФ]

Выносливость NAND: Срок службы NAND относится к циклу P/E (программирование/стирание) флэш-памяти NAND.

Емкость твердотельного накопителя: Емкость SSD — это общая емкость SSD.

ВАФ: Коэффициент усиления записи (WAF) — это числовое значение, представляющее соотношение между объемом данных, которые необходимо записать контроллеру SSD, и объемом данных, которые записывает контроллер флэш-памяти хоста. Лучшее значение WAF, близкое к 1, гарантирует большую надежность и меньшую частоту записи данных во флэш-память.

TBW в этом документе основан на рабочей нагрузке JEDEC 218/219.

1.6.2. Индикатор износа носителя

Индикатор фактического срока службы, сообщаемый индексом байтов атрибута SMART [5], процент использования, рекомендует пользователю заменить диск при достижении 100 процентов.

1.6.3. Режим только для чтения (окончание срока службы)

Когда накопитель устаревает из-за накопленных циклов программирования/стирания, износ носителя может привести к увеличению числа более поздних плохих блоков. Когда количество пригодных для использования хороших блоков выходит за пределы определенного используемого диапазона, накопитель уведомляет хост через событие AER и критическое предупреждение, чтобы перейти в режим только для чтения, чтобы предотвратить дальнейшее повреждение данных. Пользователь должен немедленно начать замену диска на другой.

1.7. Адаптивный подход к настройке производительности

1.7.1. пропускная способность

В зависимости от доступного места на диске HG2283 будет регулировать скорость чтения/записи и управлять пропускной способностью. Когда еще остается много места, прошивка будет постоянно выполнять операцию чтения/записи. По-прежнему нет необходимости реализовывать сборку мусора для выделения и освобождения памяти, что ускорит обработку чтения/записи для повышения производительности. Наоборот, когда пространство будет израсходовано, HG2283 замедлит обработку чтения/записи и реализует сборку мусора для освобождения памяти. Следовательно, производительность чтения/записи станет медленнее.

1.7.2. Прогнозировать и получать

Обычно, когда хост пытается прочитать данные с твердотельного накопителя PCIe, твердотельный накопитель PCIe выполняет только одно действие чтения после получения одной команды. Однако HG2283 применяет Predict & Fetch для повышения скорости чтения. Когда хост выдает команды последовательного чтения на PCIe SSD, PCIe SSD автоматически ожидает, что следующие команды также будут командами чтения. Таким образом, перед получением следующей команды flash уже подготовил данные. Соответственно, это ускоряет время обработки данных, и хосту не нужно так долго ждать получения данных.

1.7.3. SLC-кэширование

В настоящее время дизайн прошивки HG2283 использует динамическое кэширование для повышения производительности, увеличения срока службы и улучшения пользовательского опыта.

7. ФИЗИЧЕСКИЕ РАЗМЕРЫ

Форм-фактор: M.2 2280 S2

Размеры: 80,00мм (Д) x 22,00мм (Ш) x 2,15 мм (В)

 

Посмотреть направление	Диаграмма
Вершина
Нижний
Посмотреть направление	Диаграмма
Сторона

Рисунок 7-1. Механическая схема и размеры изделия.

 

8. ЗАМЕЧАНИЯ ПО ПРИМЕНЕНИЮ

8.1. Меры предосторожности при обращении с упаковкой чипов на уровне пластины (WLCSP)

На одном SSD-устройстве собрано множество компонентов. Обращайтесь с накопителем осторожно, особенно если он оснащен такими компонентами WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging), как PMIC, термодатчик или переключатель нагрузки. WLCSP — это одна из технологий упаковки, широко применяемая для создания меньших размеров, но любые удары или царапины могут повредить эти сверхмалые детали, поэтому настоятельно рекомендуется осторожное обращение.

 

НЕ БРОСАЙТЕ SSD

УСТАНАВЛИВАЙТЕ SSD С ОСТОРОЖНОСТЬЮ

TORE SSD В ПРАВИЛЬНОЙ УПАКОВКЕ

 

8.2. M Key M.2 SSD Меры предосторожности при сборке

Твердотельный накопитель M Key M.2 (рис. 1) совместим только с разъемом M Key (рис. 2). Как показано в сценарии использования 2, неправильное использование может привести к серьезному повреждению твердотельного накопителя, включая выгорание.

 

 

Рисунок 8-1 Ключ M M.2 Меры предосторожности при сборке

 

горячая этикетка : НОВЫЙ M.2 PCIE NVME SSD 256 ГБ 512 ГБ 1T 2T HG2283 плюс HYNIX V7, Китай НОВЫЙ M.2 PCIE NVME SSD 256 ГБ 512 ГБ 1T 2T HG2283 плюс HYNIX V7, 1 8 PATA SSD, CF -карта для адаптера SD -карты, Адаптер карты памяти CF, Адаптер дуэта памяти на SD, дуэт памяти дуэт для адаптера SD, Micro SD USB -адаптер